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Micro LED技術(shù)上已經(jīng)突破了OLED的局限，亮度和飽和度相比之下都更高。此外OLED材料是有機(jī)發(fā)光二極管，在使用壽命上天然無(wú)法與Micro LED等有機(jī)發(fā)光二極管相比，在需要使用時(shí)候命的應(yīng)用領(lǐng)域，如汽車抬頭顯示、大型屏幕投影等方面Micro LED更具競(jìng)爭(zhēng)力。真空等離子在通入氧氣和氮?dú)庠偌由僬婵盏入x子在通入氧氣和氮?dú)庠偌由倭康乃穆然迹诜烹娗闆r下，能快速的蝕刻掉環(huán)氧樹(shù)脂。三.真空等離子會(huì)不會(huì)徹底破壞環(huán)氧樹(shù)脂？因?yàn)镸ini LED間隙和Mini LED表面，環(huán)氧樹(shù)脂有厚度差，所以真空等離子，會(huì)優(yōu)先蝕刻Mini LED芯片表面上的環(huán)氧樹(shù)脂。

等離子清洗機(jī)處理能更好地改善ITO表面形貌，同時(shí)可以看到ITO表面氧空洞明顯增多，表面富集了一層帶負(fù)電的氧，形成界面偶極層，增加了ITO表面功函數(shù)，使得ITO的空穴注人能力大大增強(qiáng)。此外，等離子清洗機(jī)處理以后ITO表面粗糙度減少，ITO膜與NPB之間的界面能減少，空穴注人變得容易，與由陰極注人的電子更好的復(fù)合產(chǎn)生激子，等離子體處理后的陽(yáng)極制備的器件亮度高，質(zhì)量好。

在玻璃基板（LCD)上安裝裸芯片IC的COG工藝過(guò)程中，當(dāng)芯片粘接后進(jìn)行高溫硬化時(shí)，在粘結(jié)填料表面有基體鍍層成分分析出情況。還時(shí)有Ag漿料等連接劑溢出成分污染粘接填料。如果能在熱壓綁定工藝前用等離子清洗去除這些污染物，剛熱壓綁定的質(zhì)量能夠大幅提升。進(jìn)一步說(shuō)，由于基板與祼芯片IC表面的潤(rùn)濕性都提高了，則LCD-COG模塊的粘結(jié)密接性也能提高，同時(shí)也能夠減少線條腐蝕的問(wèn)題。